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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-SOIC
  • 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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ADP3650JRZ-RL 技术参数详情:

ADP3650JRZ-RL是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的高性能半桥栅极驱动器集成电路,隶属于其电源管理IC产品线。该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装,以卷带形式供货,专为高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET而设计,适用于要求严苛的开关电源和电机控制应用。其核心架构围绕两个独立的同步驱动通道构建,分别负责控制半桥拓扑中的高侧和低侧开关管,内部集成了电平移位、自举充电以及完善的保护逻辑,确保了在宽电压和温度范围内的稳定运行。

该驱动器的功能特点突出体现在其快速、精准的开关控制能力上。典型上升时间和下降时间分别仅为20纳秒和16纳秒,这极大地减少了功率器件的开关损耗,有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰。其输入逻辑兼容标准CMOS/TTL电平,非反相的输入设计简化了与微控制器或数字信号处理器的接口。供电电压范围宽达4.15V至13.2V,为设计提供了灵活性,同时其逻辑阈值(VIL=0.8V, VIH=2V)确保了在噪声环境下的抗干扰能力和可靠的信号识别。

在接口与关键参数方面,ADP3650JRZ-RL支持表面贴装,工作结温范围覆盖0°C至150°C,使其能够适应工业级应用环境。其驱动配置针对半桥结构优化,两个输出驱动器能够提供强大的灌电流和拉电流能力,确保功率MOSFET的快速导通与关断,从而优化开关性能。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,通过可靠的ADI芯片代理进行采购是确保产品正品和获取相关设计资源的重要途径。

基于上述技术特性,该芯片广泛应用于各类需要高效功率转换和电机驱动的场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动(如无刷直流电机和步进电机)、不间断电源(UPS)以及光伏逆变器等。其快速开关特性和稳健的设计使其成为在高频、高效率功率电子系统中实现紧凑、可靠解决方案的关键组件。

  • 型号:ADP3650JRZ-RL
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:4.15V ~ 13.2V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):20ns,16ns
  • 工作温度:0°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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ADP3650JRZ-RL是亚德诺半导体推出的一款有源、半桥配置的栅极驱动器IC,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于同步驱动两个N沟道MOSFET,其核心优势在于极快的开关速度,典型上升/下降时间分别为20ns和16ns,能有效降低开关损耗并提升系统效率。

它具备4.15V至13.2V的宽供电电压范围,逻辑输入兼容标准电平(VIL/VIH为0.8V/2V)且为非反相设计,接口简便。其工作结温高达150°C,确保了在工业温度环境下的可靠运行。这些参数共同使其成为高频、高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。

ADCMP361:双极性输出、内置基准电压源的单路0.275%比较器
AD5542:2.7 V至5.5 V、串行输入、电压输出、16位DAC
LTC2931:具可调复位和看门狗定时器的可配置 6 通道电源监视器
ADA4610-2:低噪声、精密、轨到轨输出、JFET双通道运算放大器
AD813:单电源、低功耗、三通道视频放大器
AD8001:800 MHz、50 mW电流反馈型放大器
LT1460:微功率、精准串联基准系列
AD8332:内置超低噪声前置放大器和可编程输入阻抗(RIN)的双通道VGA
ADP1753:800MA低VIN、可调VOUT LDO稳压器
ADA4858-3:单电源、高速、三通道运算放大器,内置电荷泵
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