ADN4655BRSZ是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能、双通道、基于磁耦合技术的数字隔离器。该器件采用先进的iCoupler技术架构，在单芯片上集成了高速CMOS电路与微型变压器，实现了信号与电源路径的完全隔离。这种架构不仅确保了高数据速率下的信号完整性，还提供了卓越的抗电磁干扰能力，使其在复杂的工业与通信环境中能够稳定可靠地工作。

该隔离器的核心功能是实现两个独立电气域之间高速差分信号的传输与隔离。它支持高达1.1Gbps的数据速率，同时具备极低的传播延迟（最大值4.5ns）和极佳的时序特性，典型上升/下降时间仅为0.35ns，这对于保持高速数据流的精确时序至关重要。其3750Vrms的隔离电压和高达25kV/s的共模瞬变抗扰度，为系统提供了强大的安全屏障，能有效抑制高压侧噪声对低压控制侧的干扰，保护敏感电路。用户可以通过ADI授权代理获取完整的技术支持和样品。

在接口与电气参数方面，ADN4655BRSZ专为LVDS（低压差分信号）接口设计，每通道包含一个输入和一个输出，构成单向传输路径。其供电电压范围较窄，为2.375V至2.625V，这有助于降低功耗并优化信号摆幅。器件采用紧凑的20引脚SSOP表面贴装封装，工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C，确保了在严苛环境下的适用性。

凭借其高速、高隔离度和强抗扰度的特点，ADN4655BRSZ非常适合应用于对信号完整性和系统安全性要求极高的场景。典型应用包括工业自动化中的电机驱动与PLC通信、医疗设备中的高分辨率成像数据传输、以及通信基础设施中的高速背板隔离。它能够可靠地隔离高速数据总线（如Camera Link、千兆以太网物理层隔离），在存在巨大地电位差或噪声的环境中，确保关键数据无差错传输，是现代高性能系统设计中实现安全、可靠信号隔离的理想选择。

• 型号:ADN4655BRSZ
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:20-SSOP
• 类目:隔离器 > 数字隔离器
• 描述:DGTL ISO 3.75KV 2CH LVDS 20-SSOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:磁耦合
• 类型:LVDS
• 隔离式电源:无
• 通道数:2
• 输入 - 侧 1/侧 2:1/1
• 通道类型:单向
• 电压 - 隔离:3750Vrms
• 共模瞬变抗扰度（最小值）:25kV/s
• 数据速率:1.1Gbps
• 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:4.5ns，4.5ns
• 脉宽失真（最大）:-
• 上升/下降时间（典型值）:0.35ns，0.35ns（最大）
• 电压 - 供电:2.375V ~ 2.625V
• 等级:-
• 资质:-
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:20-SSOP（0.209，5.30mm 宽）
• 供应商器件封装:20-SSOP
• ADN4655BRSZ优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADN4655BRSZ是一款采用磁耦合iCoupler技术的双通道LVDS数字隔离器。该器件提供高达3750Vrms的电气隔离和25kV/s的卓越共模瞬变抗扰度，为系统安全与信号完整性设立了高标准。

其核心性能在于支持高达1.1Gbps的数据速率，同时保持极低的传播延迟（最大值4.5ns）和快速的上升/下降时间（典型值0.35ns），专为传输高速差分信号而优化。器件采用2.5V单电源供电，工作温度范围为-40°C至125°C，并采用20-SSOP紧凑封装，适用于要求高速度、高可靠性的工业自动化、医疗设备和通信基础设施等领域的隔离应用。