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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:隔离器 > 数字隔离器,封装:16-SOIC
  • 技术参数:DG ISO 2.5KV 3CH RS422 16-SOIC
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ADM2486BRWZ 技术参数详情:

ADM2486BRWZ是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能、集成式隔离式RS-485/RS-422收发器。该器件采用ADI成熟的iCoupler磁隔离技术,在单芯片内集成了三通道数字隔离器和一个完整的差分总线收发器,实现了逻辑接口与物理总线之间的完全电气隔离。其核心架构通过微型变压器进行磁耦合传输数据,有效避免了传统光耦器件因LED老化带来的性能衰减问题,确保了长期可靠性和信号完整性。

该芯片的功能特点十分突出。它提供了高达2500Vrms的电气隔离,并具备出色的共模瞬变抗扰度(CMTI),最小值达25kV/s,这使其在工业电机驱动、电力系统等存在剧烈噪声干扰的环境中能够稳定工作,防止误码产生。其数据速率高达20Mbps,同时保持了极低的信号延迟与失真,典型传播延迟为55ns,脉宽失真最大仅为5ns,确保了高速通信的实时性与准确性。器件集成了失效防护接收器,当总线开路、短路或空闲时,能确保接收器输出处于确定的高电平状态,增强了系统鲁棒性。对于需要稳定供应链的客户,可以通过授权的ADI代理获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面,ADM2486BRWZ设计极为灵活。它采用单电源供电,供电电压范围为3V至5.5V,其隔离侧(总线侧)与逻辑侧可独立使用不同电压,方便与多种微控制器或DSP接口。器件提供2个正向通道和1个反向通道,支持半双工通信。其总线接口引脚具备高ESD保护能力,符合RS-485标准。它采用紧凑的16引脚SOIC宽体封装,工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,适合在严苛环境下部署。

基于其高隔离、高速度和高抗扰度的特性,ADM2486BRWZ广泛应用于对可靠性与实时性要求极高的场景。它是工业自动化系统中PLC、变频器与现场仪表之间通信网络的理想选择,也常见于电机控制、伺服驱动器的隔离接口。在能源领域,可用于光伏逆变器、电池管理系统(BMS)以及智能电表中的隔离通信链路。此外,在楼宇自动化、过程控制以及需要长距离、多点通信的各类总线网络中,该芯片都能提供安全、可靠的物理层解决方案。

  • 型号:ADM2486BRWZ
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-SOIC
  • 类目:隔离器 > 数字隔离器
  • 描述:DG ISO 2.5KV 3CH RS422 16-SOIC
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:磁耦合
  • 类型:RS422,RS485
  • 隔离式电源:无
  • 通道数:3
  • 输入 - 侧 1/侧 2:2/1
  • 通道类型:双向
  • 电压 - 隔离:2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/s
  • 数据速率:20Mbps
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):55ns,55ns
  • 脉宽失真(最大):5ns
  • 上升/下降时间(典型值):5ns,5ns
  • 电压 - 供电:3V,5V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SOIC
  • ADM2486BRWZ优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADM2486BRWZ是ADI公司基于iCoupler磁隔离技术设计的一款完全集成、隔离的RS-485/RS-422收发器。该器件在单芯片内集成了一个三通道数字隔离器和一个差分总线收发器,提供高达2500Vrms的电气隔离和最低25kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,确保在恶劣的工业电气噪声环境中实现可靠的数据传输。

其核心性能参数包括高达20Mbps的数据速率、仅55ns的最大传播延迟以及低至5ns的脉宽失真,这些特性共同保障了高速通信链路的信号完整性与实时性。器件支持3V至5.5V宽电源电压范围,采用16-SOIC封装,工作温度范围为-40°C至85°C,集成了失效防护接收器功能,为工业自动化、电机控制、能源系统等应用提供了坚固、高性能的隔离通信解决方案。

ADG888:0.4 Ω、CMOS、双通道双刀双掷开关,采用WLCSP/LFCSP/TSSOP封装
ADP5023:双通道、3 MHZ、800 MA降压调节器和300 MA LDO
LTM9013:300MHz 宽带接收器
LTC1865L:采用 MSOP 封装的微功率、3V、16 位、150ksps 双通道 ADC
LTC2379-18:具 101.2dB SNR 的 18 位、1.6Msps、低功率 SAR ADC
ADP3635:高速、双通道、4 A MOSFET驱动器,一通道反相、一通道同相,内置热保护功能
HMC1119:0.25dB LSB、7位硅数字衰减器,0.1 GHz至6.0 GHz
HMC659-DIE:功率放大器芯片,DC - 15 GHz
ADG426:LC2MOS, ± 15 V、,16通道、高性能模拟多路复用器
LT1336:具升压型稳压器的半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
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