
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:20-TSSOP
- 技术参数:IC RF SWITCH 2XSPDT 2GHZ 20TSSOP
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ADG936BRU-500RL7是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、低功耗射频开关集成电路。该器件采用先进的吸收式开关拓扑结构,在0Hz至2GHz的宽频范围内提供卓越的射频性能。其核心架构基于两个独立的单刀双掷(SPDT)开关电路,集成在紧凑的20引脚TSSOP封装内,为系统设计提供了高度的集成度和灵活性。
该芯片在1GHz测试频率下,能实现高达36dB的端口隔离度,有效抑制通道间的信号串扰,确保信号路径的纯净性。同时,其插入损耗典型值仅为0.9dB,这意味着信号通过开关时的衰减被控制在极低水平,对于维持系统链路预算和信噪比至关重要。在功率处理能力方面,其1dB压缩点(P1dB)为16dBm,三阶交调截点(IIP3)高达32dBm,表现出优秀的线性度,使其能够处理相对较高的射频功率而不会产生显著的失真,适用于对信号保真度要求严格的应用环境。
在接口与控制方面,ADG936BRU-500RL7设计简洁高效。它采用标准的CMOS/TTL兼容逻辑电平控制,开关状态切换迅速可靠。其供电电压范围宽达1.65V至2.75V,与低电压数字系统兼容,同时有助于降低整体系统功耗。芯片内部集成了50欧姆的匹配阻抗,简化了与标准射频前端的连接设计。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。尽管该型号目前已处于停产状态,但在存量市场或特定延续性设计中,通过可靠的ADI代理商渠道,它依然是值得考虑的高性能选择。
基于其优异的射频指标和紧凑的封装,ADG936BRU-500RL7非常适合应用于需要高频信号路由与切换的场合。典型应用包括蜂窝通信基础设施(如基站中的天线分集与收发切换)、测试与测量设备中的信号路径选择、卫星通信系统以及各类无线收发模块。其高隔离和低插损的特性,使其在射频前端设计中能够有效提升系统灵敏度和动态范围,是构建高性能无线系统的关键元件之一。
- 型号:ADG936BRU-500RL7
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:20-TSSOP
- 类目:射频和无线 > 射频开关
- 描述:IC RF SWITCH 2XSPDT 2GHZ 20TSSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 射频类型:通用
- 拓扑:吸收
- 电路:2 x SPDT
- 频率范围:0Hz ~ 2GHz
- 隔离:36dB
- 插损:0.9dB
- 测试频率:1GHz
- P1dB:16dBm
- IIP3:32dBm
- 特性:-
- 阻抗:50 欧姆
- 电压 - 供电:1.65V ~ 2.75V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
- 供应商器件封装:20-TSSOP
- ADG936BRU-500RL7优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADG936BRU-500RL7是亚德诺半导体(ADI)生产的一款通用型射频开关,采用吸收式拓扑,内部集成两个独立的SPDT开关电路。该器件覆盖DC至2GHz的宽频率范围,在1GHz下提供36dB的高隔离度和仅0.9dB的低插入损耗,有效保障了信号路径的完整性与纯净度。
其线性度表现突出,1dB压缩点达16dBm,三阶交调截点为32dBm,能够处理较高功率信号并保持低失真。芯片采用1.65V至2.75V单电源供电,兼容低电压逻辑,并集成50欧姆标准阻抗。封装为紧凑的20-TSSOP,工作温度范围为-40°C至85°C,适用于要求高可靠性及小型化的工业与通信应用场景。



















