
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:8-MSOP
- 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 8MSOP
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ADG918BRMZ-REEL7是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的单刀双掷(SPDT)吸收式射频开关。该器件采用先进的CMOS工艺制造,其核心架构集成了高性能的开关晶体管阵列与精密的控制逻辑电路,能够在直流至2GHz的宽频范围内实现高效的信号路径切换。其吸收式拓扑设计确保了在关断状态下,信号端口呈现良好的匹配特性,有效减少了信号反射,这对于维持系统整体性能的稳定性至关重要。
该芯片的功能特点突出体现在其优异的射频性能与极低的功耗上。在1GHz的典型测试频率下,它能提供高达37dB的通道隔离度,同时插入损耗仅为0.8dB,这意味着信号在通过开关时衰减极小,系统链路预算得以优化。其线性度指标同样出色,1dB压缩点(P1dB)为17dBm,三阶交调截点(IIP3)达到36dBm,使其能够处理相对较高的射频功率而不会引入明显的非线性失真,非常适合现代通信系统中对信号保真度要求苛刻的应用。
在接口与电气参数方面,ADG918BRMZ-REEL7设计简洁高效。它采用标准的CMOS/TTL兼容逻辑控制接口,仅需一个控制引脚即可在两个射频通路间进行选择,简化了系统设计。其供电电压范围宽至1.65V至2.75V,兼容多种低电压数字系统,同时静态电流消耗极低,有助于延长便携式设备的电池寿命。该器件采用紧凑的8引脚MSOP封装,具有良好的热性能,并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作,确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取该产品及相关技术支持。
基于其卓越的性能,ADG918BRMZ-REEL7广泛应用于需要高频信号路由与切换的各类场景。在无线基础设施中,如基站收发信机(BTS),它可用于天线选择、发射/接收(T/R)切换或滤波器旁路。在测试与测量设备中,它能够作为自动化测试系统(ATE)或频谱分析仪信号路径的一部分。此外,在便携式无线设备、卫星通信终端以及军用无线电系统中,其小尺寸、低功耗和高性能的组合也使其成为实现紧凑型、高效率射频前端的理想选择。
- 型号:ADG918BRMZ-REEL7
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-MSOP
- 类目:射频和无线 > 射频开关
- 描述:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 8MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 射频类型:通用
- 拓扑:吸收
- 电路:SPDT
- 频率范围:0Hz ~ 2GHz
- 隔离:37dB
- 插损:0.8dB
- 测试频率:1GHz
- P1dB:17dBm
- IIP3:36dBm
- 特性:-
- 阻抗:-
- 电压 - 供电:1.65V ~ 2.75V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:8-MSOP
- ADG918BRMZ-REEL7优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
ADG918BRMZ-REEL7是亚德诺半导体推出的一款高性能单刀双掷(SPDT)吸收式射频开关。该器件覆盖直流至2GHz的宽频率范围,在1GHz测试频率下,其关键射频性能指标突出,包括37dB的高隔离度、0.8dB的低插入损耗以及36dBm的高三阶交调截点(IIP3),确保了信号路径切换时的高保真度和优异的线性度。
该芯片采用1.65V至2.75V的低电压供电,功耗极低,并采用紧凑的8-MSOP封装,工作温度范围为-40°C至85°C。这些特性使其特别适合于对尺寸、功耗和可靠性有严格要求的应用,例如蜂窝基站、便携式无线设备、测试仪器以及各类通用射频信号路由系统。



















