- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：射频和无线 > 射频开关，封装:8-MSOP
- 技术参数：IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 8MSOP
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ADG918BRMZ-REEL是一款由亚德诺半导体（Analog Devices）设计生产的单刀双掷（SPDT）吸收式射频开关。该器件采用先进的CMOS工艺制造，其核心架构集成了高性能的开关晶体管阵列与精密的控制逻辑电路，能够在极宽的频率范围内实现快速、可靠的信号路径切换。其吸收式拓扑结构确保了在关断状态下，端口呈现良好的匹配特性，有效减少了信号反射，这对于维持系统信号完整性至关重要。
该射频开关在0Hz至2GHz的宽频带内均能保持卓越的性能。在1GHz的典型测试频率下，其插入损耗低至0.8dB，这最大限度地保留了信号功率，对于接收链路灵敏度或发射链路效率的提升具有直接贡献。同时，其通道间隔离度高达37dB，能够有效抑制非选中通道的信号泄漏，避免串扰。在功率处理能力方面，其1dB压缩点（P1dB）为17dBm，三阶交调截点（IIP3）达到36dBm，展现了出色的线性度，使其能够在多载波或高动态范围的应用中稳定工作，避免因非线性失真导致的信号质量劣化。
该器件设计简洁高效，采用单电源供电，电压范围宽达1.65V至2.75V，兼容多种低电压逻辑系统，并有助于降低整体功耗。其控制接口为标准CMOS/TTL兼容电平，易于与微控制器、FPGA或ASIC直接连接。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准，确保了在严苛环境下的可靠性。产品采用紧凑的8引脚MSOP封装，为空间受限的PCB设计提供了极大便利。用户可以通过ADI授权代理获取完整的技术支持、样品与供货服务。
凭借其宽带、低插损、高隔离和高线性度的综合特性，ADG918BRMZ-REEL非常适合应用于需要高性能信号路由的场合。典型应用包括无线基础设施（如基站中的收发切换与分集接收）、测试与测量设备中的信号源与仪表切换、以及各类通信终端（如手机、物联网模块）中的天线调谐与频段切换模块。其低电压特性也使其成为便携式电池供电设备的理想选择。
- 型号:ADG918BRMZ-REEL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-MSOP
- 类目:射频和无线 > 射频开关
- 描述:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 8MSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 射频类型:通用
- 拓扑:吸收
- 电路:SPDT
- 频率范围:0Hz ~ 2GHz
- 隔离:37dB
- 插损:0.8dB
- 测试频率:1GHz
- P1dB:17dBm
- IIP3:36dBm
- 特性:-
- 阻抗:-
- 电压 - 供电:1.65V ~ 2.75V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
- 供应商器件封装:8-MSOP
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ADG918BRMZ-REEL是亚德诺半导体推出的一款高性能单刀双掷（SPDT）吸收式射频开关。该器件覆盖DC至2GHz的宽频率范围，在1GHz下提供低至0.8dB的插入损耗和高达37dB的通道隔离，确保信号路径切换时具有最小的功率损失和优异的信号纯净度。
其核心优势在于出色的线性度表现，1dB压缩点（P1dB）为17dBm，三阶交调截点（IIP3）达36dBm，能够有效处理高动态范围的信号而避免失真。器件采用1.65V至2.75V单电源供电，兼容低电压系统，并采用节省空间的8-MSOP封装，工作温度范围为-40°C至85°C，满足工业环境应用需求。
