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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器,封装:16-TSSOP
  • 技术参数:IC FRACT N SYNTH 16TSSOP
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ADF4157BRUZ-RL7 技术参数详情:

ADF4157BRUZ-RL7是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的高性能、小数N分频射频(RF)频率合成器。该器件集成了一个完整的锁相环(PLL)核心,其核心架构基于一个低噪声的数字鉴频鉴相器(PFD)和一个高精度的Σ-Δ调制器,结合一个可编程的参考分频器(R分频器)和主分频器(N分频器,包含整数和小数部分)。这种架构允许芯片在宽频带内生成具有极低相位噪声和优异杂散性能的稳定时钟信号,其频率合成范围可覆盖至6GHz,为高速通信和精密测量系统提供了关键的时钟源。

该芯片的功能特点突出,其分数N合成技术能够实现远高于传统整数N分频PLL的频率分辨率,从而在无需牺牲参考频率的情况下获得精细的频率步进。它支持CMOS和TTL电平的输入接口,具备一个时钟输出,并集成了分频与倍频功能。其供电电压范围为2.7V至3.3V,功耗得到优化,同时能在-40°C至85°C的宽工业温度范围内稳定工作,确保了在各种严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供应的客户,可以通过授权的ADI代理获取原厂正品和技术支持。

在接口与关键参数方面,ADF4157BRUZ-RL7采用紧凑的16引脚TSSOP表面贴装封装,便于高密度PCB板设计。其最大合成频率达到6GHz,输入输出比为2:1,并支持差分输入(以提高抗干扰能力)和单端时钟输出。这些参数共同定义了其高性能边界,使其能够满足对频率纯度、切换速度和集成度有严格要求的应用。

基于其卓越的性能,ADF4157BRUZ-RL7非常适合应用于无线基础设施(如蜂窝基站、微波回程)、测试与测量设备(如信号发生器、频谱分析仪)、卫星通信系统以及雷达模块等场景。在这些应用中,它作为本振(LO)生成的核心,为射频链路的上下变频提供精确、洁净的频率参考,是构建现代高性能射频系统的理想选择。

  • 型号:ADF4157BRUZ-RL7
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
  • 描述:IC FRACT N SYNTH 16TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 类型:分数 N 合成器(RF)
  • PLL:是
  • 输入:CMOS,TTL
  • 输出:时钟
  • 电路数:1
  • 比率 - 输入:2:1
  • 差分 - 输入:是/无
  • 频率 - 最大值:6GHz
  • 分频器/倍频器:是/是
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.3V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:16-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-TSSOP
  • ADF4157BRUZ-RL7优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADF4157BRUZ-RL7是亚德诺半导体推出的一款高性能小数N分频频率合成器IC。该器件集成了完整的锁相环(PLL)功能,能够生成高达6GHz的精密时钟信号,主要面向对频率纯度和分辨率有苛刻要求的射频应用。

其核心优势在于采用了先进的分数N合成技术,结合Σ-Δ调制器,在宽频带内实现了优异的相位噪声和杂散抑制性能。该芯片工作电压为2.7V至3.3V,支持CMOS/TTL输入,采用16-TSSOP表面贴装封装,并能在-40°C至85°C的工业温度范围内稳定运行,确保了设计的灵活性与可靠性。

LTC1042:窗口比较器
LTC6410-6:具可配置输入阻抗的低失真、低噪声差分IF放大器
AD660:单芯片16位串行/字节DACPORT
SSM4321:单声道2.9 W、D类音频放大器,具有数字电流和电压输出
LTC6090:140V CMOS 轨至轨输出、pA 输入电流运放
LTC2941:具 I2C 接口的电池电量测量
AD8206:单电源42V系统差分放大器
ADH347S:航空航天GaAs、SPDT非反射式开关,DC至14 GHz (LH5封装),DC至20 GHz(裸片)
HMC-C079:超低相位噪声放大器模块,3 - 8 GHz
ADUM3300:三通道数字隔离器,具有增强的系统级ESD可靠性(3/0通道方向性)
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