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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器,封装:16-TSSOP
  • 技术参数:IC FRACT N SYNTH 16TSSOP
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ADF4153BRU 技术参数详情:

ADF4153BRU是一款由Analog Devices(亚德诺半导体)设计生产的高性能分数N型射频频率合成器芯片。该器件采用先进的锁相环(PLL)架构,集成了低噪声数字鉴频鉴相器(PFD)、高精度电荷泵以及可编程的参考分频器和射频分频器。其核心在于一个基于25位固定模数的分数N分频器,结合了Σ-Δ调制技术,能够实现极高的频率分辨率和极低的带内相位噪声,从而在射频系统中生成极其纯净和稳定的本振信号。

该芯片的功能特点十分突出。它支持高达4GHz的射频输入频率,覆盖了从通信基站到测试测量设备的广泛频段需求。其分数N架构允许用户以远小于整数N PLL的通道间隔来设置输出频率,提供了无与伦比的频率灵活性。芯片的输入接口兼容CMOS和TTL电平,易于与各种逻辑控制器连接。供电电压范围为2.7V至3.3V,功耗低,适合便携式和低功耗应用。其工作温度范围宽达-40°C至85°C,确保了在严苛工业环境下的可靠性。用户可以通过一个简单的三线串行接口对内部寄存器进行编程,从而灵活配置所有关键参数,包括分频比、电荷泵电流和输出模式等。

在具体应用场景中,ADF4153BRU是无线基础设施(如蜂窝基站收发器)、点对点微波通信链路、卫星通信终端以及高性能测试仪器(如频谱分析仪和信号发生器)中本振(LO)信号生成模块的理想选择。其优异的相位噪声性能和精细的频率步进能力,对于提升通信系统的接收灵敏度和降低误码率至关重要。对于需要采购此型号的工程师,可以通过正规的ADI代理商获取技术支持和原厂供货信息。该芯片采用紧凑的16引脚TSSOP表面贴装封装,便于在空间受限的PCB板上进行布局。

  • 型号:ADF4153BRU
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
  • 描述:IC FRACT N SYNTH 16TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 类型:分数 N 合成器(RF)
  • PLL:是
  • 输入:CMOS,TTL
  • 输出:时钟
  • 电路数:1
  • 比率 - 输入:2:1
  • 差分 - 输入:是/无
  • 频率 - 最大值:4GHz
  • 分频器/倍频器:无/是
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.3V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:16-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-TSSOP
  • ADF4153BRU优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADF4153BRU是ADI推出的一款高性能射频分数N频率合成器,属于其时钟与定时产品线中的PLL/频率合成器类别。该芯片基于一个完整的锁相环电路,能够生成高达4GHz的精确时钟信号,其核心优势在于分数N合成技术,结合Σ-Δ调制器,实现了极高的频率分辨率和优异的带内相位噪声性能。

该器件采用2.7V至3.3V单电源供电,工作温度范围为-40°C至85°C,具备工业级可靠性。其输入兼容CMOS/TTL电平,输出为时钟信号,通过一个三线串行接口进行灵活配置。尽管该型号目前已处于停产状态,但其在要求高精度、低相位噪声的射频本振生成应用,如无线基础设施和测试测量设备中,曾是一款经典的设计选择。

HMC424A-DIE:0.5 dB LSB GaAs MMIC 6位 数字衰减器,DC - 13 GHz
ADV3220:800 MHz、2:1模拟多路复用器
HMC577:x2有源倍频器,采用SMT封装, 27至31 GHz Fout
LTC6269-10:4GHz 超低偏置电流FFT 输入运算放大器
LTC7880:具有数字电源系统管理功能的60V双输出升压型控制器
AD8319:1 MHz至10 GHz、40 dB对数检波器/控制器
ADUM3123:隔离式精密栅极驱动器,4 A输出
AD604:双通道、超低噪声可变增益放大器
LTC2377-20:具 0.5ppm INL 的 20 位、500ksps、低功率 SAR ADC
AD9695:14 位、1300 MSPS/625 MSPS、JESD204B 双通道模数转换器
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