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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SOIC-EP
  • 技术参数:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
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ADA4625-1ARDZ-RL 技术参数详情:

ADA4625-1ARDZ-RL是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款精密JFET输入运算放大器。该器件采用先进的半导体工艺和架构设计,其核心在于集成了一个高性能的结型场效应晶体管(J-FET)作为输入级。这种输入级结构是实现其卓越直流精度和低噪声性能的关键,配合精密的内部补偿和偏置电路,确保了放大器在宽温度范围和电源电压下的稳定工作。

该运算放大器具备一系列突出的功能特性。其极低的输入偏置电流(典型值15pA)和输入失调电压(典型值15V),使其在需要高阻抗信号源或微小信号精确放大的应用中表现出色,有效减少了由放大器自身引入的系统误差。同时,器件提供了高达48V/s的压摆率和18MHz的增益带宽积,结合满摆幅输出能力,使其既能快速响应信号变化,又能在宽动态范围内提供不失真的输出,兼顾了精度与速度。其宽电源电压范围(5V至36V单电源或±2.5V至±18V双电源)和扩展的工业级工作温度范围(-40°C至125°C),赋予了设计者极大的灵活性和系统鲁棒性。

在接口与电气参数方面,ADA4625-1ARDZ-RL采用单运放设计,每通道可提供高达33mA的输出电流,驱动能力较强。其静态电流消耗约为4mA,在提供高性能的同时保持了合理的功耗水平。器件采用表面贴装型的8引脚SOIC封装,便于集成到高密度的PCB布局中。这些参数共同定义了一个高精度、高速、高输入阻抗的运算放大器解决方案。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过正规的ADI中国代理获取该产品及技术支持。

基于其技术特性,ADA4625-1ARDZ-RL非常适合应用于对信号完整性要求极高的领域。例如,在精密数据采集系统、高阻抗传感器(如光电二极管、pH电极)的前端信号调理、高精度测试与测量设备、以及有源滤波器中,它都能发挥关键作用。其快速建立时间和低失真特性也使其适用于高速DAC的I-V转换或缓冲等场景,是工程师实现高性能模拟信号链设计的可靠选择。

  • 型号:ADA4625-1ARDZ-RL
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SOIC-EP
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:J-FET
  • 电路数:1
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:48V/s
  • 增益带宽积:18 MHz
  • -3db 带宽:16 MHz
  • 电流 - 输入偏置:15 pA
  • 电压 - 输入补偿:15 V
  • 电流 - 供电:4mA
  • 电流 - 输出/通道:33 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):5 V
  • 电压 - 跨度(最大值):36 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:8-SOIC-EP
  • ADA4625-1ARDZ-RL优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

ADA4625-1ARDZ-RL是ADI(Analog Devices)生产的一款精密JFET输入运算放大器,采用8-SOIC封装。该器件集成了单路放大器电路,以其极低的输入偏置电流(15pA)和输入失调电压(15V)为核心优势,确保了卓越的直流精度,非常适合处理高阻抗源输出的微弱信号。

放大器提供18MHz的增益带宽积和48V/s的高压摆率,配合满摆幅输出特性,实现了精度与速度的良好平衡。其工作电压范围宽泛,支持5V至36V单电源或±2.5V至±18V双电源供电,并能在-40°C至125°C的工业温度范围内稳定工作,展现出强大的环境适应性。

HMC892A:3.45 GHz 至 6.25 GHz 可调谐带通滤波器
LTC485:低功率 RS485 接口收发器
LT3086:具监视和电缆压降补偿功能的 40V、2.1A 低压差可调线性稳压器
AD8663:低噪声、精密16 V CMOS、轨到轨运算放大器
HMC573:x2有源倍频器,采用SMT封装,8至22 GHz Fout
LTC2374-16:具 96dB SNR 的 16 位、1.6Msps、8 通道 SAR ADC
HMC-C200:介质谐振振荡器(DRO)模块, 8.0 - 8.3 GHz
ADG1209:低电容、4通道、±15 V/+12 V iCMOS™ 多路复用器
LTC4080X:采用 3mm x 3mm DFN 封装并具集成型 300mA 同步降压转换器的 500mA 独立型锂离子电池充电器
AD7568:八通道12位CMOS DAC
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