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115820-HMC915LP4E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频评估和开发套件,开发板,配套使用的相关产品:HMC915LP4E
  • 技术参数:EVAL BOARD FOR HMC915LP4E
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115820-HMC915LP4E 技术参数详情:

115820-HMC915LP4E是亚德诺半导体(ADI)为评估其高性能射频混频器芯片HMC915LP4E而专门设计的评估板。该评估板属于ADI射频评估与开发套件系列,旨在为工程师提供一个完整的硬件平台,以便在系统集成前快速、准确地验证HMC915LP4E混频器的各项关键性能指标,从而加速从原型设计到产品实现的进程。

该评估板的核心是HMC915LP4E混频器芯片,其设计采用了先进的GaAs(砷化镓)工艺,确保了在宽频带范围内的高性能与高线性度。板载电路经过精心布局与优化,最大限度地减少了外部寄生参数对核心芯片性能的影响,使得评估结果能够真实反映芯片在理想工作条件下的潜力。板上的无源元件均选用高品质射频器件,以保障信号路径的完整性。

在功能特性上,115820-HMC915LP4E评估板覆盖了500MHz至2.7GHz的宽频率范围,使其能够广泛应用于多个射频频段。它支持上变频和下变频操作,为评估混频器的核心转换功能提供了便利。板卡集成了必要的匹配网络、偏置电路和射频连接器(如SMA接口),用户只需连接电源、本振信号和射频信号即可开始测试,极大地简化了评估流程。通过该板卡,工程师可以重点考察HMC915LP4E的转换增益、噪声系数、三阶交调截点等关键动态参数。

在接口与参数方面,评估板提供了清晰、标准的测试点,便于使用矢量网络分析仪、频谱分析仪等仪器进行测量。其设计严格遵循了HMC915LP4E数据手册推荐的工作条件,包括特定的本振驱动电平、直流偏置电压等。虽然该评估板对应的核心芯片HMC915LP4E及其评估套件目前已处于停产状态,但其设计理念和测试数据对于理解同类混频器产品的应用与评估仍具有重要的参考价值。有相关元器件需求的工程师可以通过专业的ADI代理商咨询库存或替代方案。

该评估板典型的应用场景包括无线通信基础设施(如蜂窝基站)、微波点对点无线电、军用电子系统以及测试测量设备的前期研发与原型验证阶段。工程师利用它可以高效地完成混频器在目标频段内的性能摸底,评估其在系统链路中的适用性,为最终的产品选型和电路设计提供坚实的数据支撑。

  • 制造商产品型号:115820-HMC915LP4E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:EVAL BOARD FOR HMC915LP4E
  • 系列:射频评估和开发套件,开发板
  • 零件状态:停产
  • 类型:混频器
  • 频率:500MHz ~ 2.7GHz
  • 配套使用的相关产品:HMC915LP4E
  • 115820-HMC915LP4E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

115820-HMC915LP4E是亚德诺半导体(ADI)推出的一款专用于评估HMC915LP4E射频混频器芯片性能的开发板。该板卡属于射频评估与开发套件系列,其核心价值在于为工程师提供了一个即插即用的硬件验证平台。

该评估板的设计紧密围绕HMC915LP4E混频器的技术参数展开,其工作频率覆盖500MHz至2.7GHz的宽范围,适用于多种无线通信频段。板载集成了优化的匹配电路和标准射频接口,允许用户快速、准确地测量核心混频器的关键指标,如转换增益和线性度,从而有效评估其在具体应用系统中的性能表现。

HMC590LP5:GaAs pHEMT MMIC 1 W功率放大器,6.0 - 9.5 GHz
LTC6905-X:Fixed Frequency SOT-23 Oscillator
AD5235:非易失性存储器、双通道1024位数字电位计
HMC722LC3C:具有可编程输出电压的13 Gbps、快速上升时间AND/NAND/OR/NOR栅极
AD6673:80 MHZ带宽双通道中频接收机
ADMV7410:E 频段低噪声下变频器 SiP,71 GHz 至 76 GHz
HMC1049-DIE:GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器,0.3 GHz至20 GHz
ADUM4190:5kV rms 隔离误差放大器
LTC1982:采用 SOT-23 封装的单通道和双通道微功率高端开关控制器
HMC517LC4:低噪声放大器,采用SMT封装,17 - 26 GHz
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